美国马萨诸塞州丹弗斯 ——2025 年 12 月讯:
2025 年,SemiNex 公司在多个关键波段及应用领域推出多款全新器件与产品线,大幅扩充了产品组合。值此年末之际,我们借此机会回顾这些创新成果及其背后的发展历程。谨祝 2026 年,我们的激光器为您绽放最耀眼的光芒!
值此佳节,感谢您一直以来的支持与合作。今年公司取得的每一步发展,都离不开与您的携手同行,我们也期待在新的一年里持续带来更多精彩的创新成果。
2025 年步入尾声,我们欣然为您重点介绍本年度推出的多款新品,每一款产品均为满足各类高要求应用场景设计,可实现更高光功率、更优能效与更卓越的性能表现:
短脉冲半导体光放大器(SOA)
该款半导体光放大器采用 14 引脚蝶形封装,上升 / 下降时间快至 1 ns,具备高增益与优异的短脉冲性能,适用于高速光网络交换场景。
高功率 L 波段半导体光放大器(SOA)
这款新型半导体光放大器的中心波长为 1595 nm,将公司高性能放大器产品组合拓展至 L 波段(长波长波段),拥有高增益与宽 3dB 带宽,同时提供单发射极和阵列两种规格。
1726 nm高功率激光二极管
这款 1726 nm连续波激光二极管的光功率可达 3 W,采用 180 um孔径设计,专为医疗应用优化打造。产品提供多种衬底封装与光纤耦合封装形式,同时还可选配 100 W多芯片模组方案。
1940 nm 10 W多芯片模组
YCMDF-101 型号模组可通过 400 um、数值孔径 0.22 的光纤实现 1940 nm波长下 10 W的功率输出,能效表现优异,支持光纤连接和光纤可拆卸两种灵活配置,适用于高功率红外应用场景。
窄线宽(<3 kHz)外腔激光器(ECL)
新款外腔激光器集成了 SemiNex 增益芯片、高功率半导体光放大器与光子集成电路,可实现洛伦兹线宽小于 3 kHz、输出功率大于 200 mW的性能表现。
波长扫描外腔激光器模组
该系列外腔激光器模组专为光学相干断层扫描(OCT)、光频域反射仪(OFDR)与调频连续波激光雷达(FMCW LiDAR)应用设计,为交钥匙式集成系统,将驱动模块、控制模块与蝶形封装的外腔激光器集成于单一系统中。
应用市场
关于 SemiNex 公司
SemiNex 公司专注于设计和制造自主研发的高功率半导体红外激光二极管组件及光放大器,产品广泛应用于数据中心、车载激光雷达、军工、医疗与工业等领域。公司产品以先进量子物理为技术基础,采用高品质磷化铟与锑化镓材料打造,支持 1250 纳米至 2400 纳米的波长范围,光输出功率行业领先,同时具备优异的热效率与电效率。此外,SemiNex 公司可根据客户的个性化需求,定制外延设计与器件封装方案。
SemiNex 公司成立于 2003 年,总部位于美国。
如想进一步了解SemiNex ECL激光器的详细情况,欢迎来电咨询:
电话:+86 1787917699(微信同号)
邮箱:info@laser-opto.com
联系人:金先生