
2025年度《激光世界》创新奖获奖名单已正式公布,SemiNex公司的高功率窄线宽外腔激光器(ECL)荣膺银奖。这一行业权威奖项肯定了该外腔激光器在激光技术领域的突破性进展——其卓越的性能、功能与创新设计均已超越传统解决方案。作为光子学行业的卓越标杆,该奖项彰显了SemiNex对下一代前沿设备的坚定追求,这些设备正赋能先进传感、光通信和量子计算等领域的尖端应用。目前,越来越多的市场领军企业正积极寻求与SemiNex合作,以期借助此项技术实现变革性成果。
获奖的外腔激光器集成了SemiNex自主研发的增益芯片和半导体光放大器(SOA)芯片,这些芯片以其出色的可靠性和高性能著称。其外腔结构提供精确的光学反馈,可实现单频输出,光纤耦合功率大于200mW,并具备超窄的洛伦兹线宽(小于3kHz)。这标志着该技术在1310nm和1550nm波段传统分布式反馈(DFB)激光器的基础上取得了重大进步,为高要求应用场景带来更高的输出功率、更低的相对强度噪声(RIN)和优异的边模抑制比(SMSR)。
SemiNex外腔激光器的高相干性设计使其完美适用于光网络、调频连续波激光雷达、航空航天系统、量子传感、工业计量及高精度导航等领域。该产品提供C波段和O波段波长范围,并可针对特定中心波长进行定制。为便于系统集成,激光器采用符合Telcordia标准的14针蝶形光纤耦合封装,确保系统稳定性、可靠的光学对准和长期耐用性。此外还可提供扫波长模块配置,以满足动态调谐应用的需求。
此次创新奖的认可进一步证明了SemiNex在光子学技术领域的领先地位——其技术不仅需具备顶尖性能,更必须在严苛的关键环境中保持稳定运行。
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SemiNex高功率窄线宽外腔激光器核心特性:
1. <3kHz窄线宽,适用于高相干性光学系统
2. 光纤输出功率>200mW
3. C波段或O波段波长范围可选
4. 低相对强度噪声与优异边模抑制比,实现低噪声性能
5. 低功耗设计,支持高效运行
6. 集成SemiNex增益芯片与半导体光放大器,实现最佳性能
7. 光子集成电路集成式外腔激光器
8. 标准14针蝶形光纤耦合封装
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